THGAF8T1T83BAIR

Mfr#	THGAF8T1T83BAIR
Mfr.	Toshiba Memory America, Inc.
Kuvaus	IC FLASH 2T UFS 153VFBGA
RoHs-tila	Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Lisää tietoa	Lisää tietoa Toshiba Memory America, Inc. THGAF8T1T83BAIR: sta

lomakkeissa	THGAF8T1T83BAIR.pdf

Pyydä tarjous

Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .

~~Varastossa:~~199 pcs
~~Tilauksesta:~~0 pcs
~~minimi:~~1 pcs
~~Multiples:~~1 pcs
~~Tehtaan toimitusaika::~~Call

Kuvaus

Voimme toimittaa THGAF8T1T83BAIR: n, pyydä tarjouslomaketta THGAF8T1T83BAIR pirce- ja läpimenoaikaa varten.ExceStore on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Yli 7 miljoonan rivin käytettävissä olevilla elektronisilla komponenteilla voidaan lähettää lyhyessä ajassa, yli 250 tuhatta elektronista komponenttia varastossa varastossa heti toimitettavaksi, joka voi sisältää osanumeron THGAF8T1T83BAIR.Ota yhteyttä meihin jo tänään, ja myyntiedustajamme toimittaa sinulle osan # THGAF8T1T83BAIR hinnan ja toimituksen. Odotamme innolla yhteistyötä kanssasi pitkäaikaisten yhteistyösuhteiden luomisessa.

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tuoteparametri

Osa numero	THGAF8T1T83BAIR
Valmistaja	Toshiba Memory America, Inc.
Kuvaus	IC FLASH 2T UFS 153VFBGA
Lyijytön tila / RoHS-tila	Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä	199 pcs
lomakkeissa	THGAF8T1T83BAIR.pdf
Kirjoita työkiertoaika - sana, sivu	-
Jännite - Supply	2.7 V ~ 3.6 V
teknologia	FLASH - NAND
Toimittaja Device Package	153-VFBGA (11.5x13)
Sarja	Consumer UFS
Pakkaus	Tray
Pakkaus / Case	153-VFBGA
Muut nimet	THGAF8T1T83BAIRYGJ
Käyttölämpötila	-25°C ~ 85°C (TC)
Asennustyyppi	Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)	3 (168 Hours)
muistin tyyppi	Non-Volatile
muistin koko	2Tb (256G x 8)
Muistipiiri	UFS
Muistimuoto	FLASH
Lyijytön tila / RoHS-tila	Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus	FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)